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लिक्विड क्रिस्टल बहुलक फिल्म सतह पर संरेखण प्रणाली संरेखित

Sep 19, 2016

लिक्विड क्रिस्टल के अणुओं लिक्विड क्रिस्टल के अणुओं और एक व्यवस्था दिशात्मक घर्षण बहुलक सतह में बहुलक सतह के भौतिक और रासायनिक प्रभाव पर निर्भर करता है। समझाया - "लिक्विड क्रिस्टल बहुलक बातचीत सिद्धांत" सामान्य "सतह नाली सिद्धांत" and. सतह नाली सिद्धांत है जब नाली की सतह के साथ लिक्विड क्रिस्टल अणुओं घर्षण सबसे कम ऊर्जा व्यवस्था के द्वारा उत्पादित, क्षेत्र उत्सर्जन स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी और परमाण्विक बल सूक्ष्मदर्शी यंत्र मला polyimide फिल्म सतह grooves वास्तव में मौजूद से पता चला है कि। "सतह नाली सिद्धांत" दिशात्मक घर्षण सतह में अकार्बनिक लिक्विड क्रिस्टल संरेखण की व्याख्या कर सकते हैं। एलसीडी - अनिसोट्रोपिक बहुलक बातचीत का निर्णय। कम घर्षण बहुलक फिल्म, एक बढ़ाकर बहुलक फिल्म, लेग बाइ फिल्म और ध्रुवीकरण किरणित बहुलक फिल्म सतह झुकाव पर्याप्त नहीं हैं। लेकिन लिक्विड क्रिस्टल के अणुओं गठबंधन, रहता है उन्मुख बहुलक सतह की व्यवस्था में लिक्विड क्रिस्टल अणुओं केवल बहुलक अणु के बीच लिक्विड क्रिस्टल के अणुओं की झिल्ली की सतह के साथ विशेष बातचीत के लिए जिम्मेदार ठहराया जा।